NVMFS4C302NWFT1G - NFET SO8FL 30V 1.15MO

Número de pieza del fabricante

NVMFS4C302NWFT1G

Número interno de parte

AX-NVMFS4C302NWFT1G

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

NFET SO8FL 30V 1.15MO

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

592505 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.473514~~

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Especificaciones para NVMFS4C302NWFT1G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : NVMFS4C302NWFT1G

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : NFET SO8FL 30V 1.15MO

Serie : Automotive, AEC-Q101

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 43A (Ta), 241A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.15 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 82nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 5780pF @ 15V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 3.75W (Ta), 115W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paquete / Caja : 8-PowerTDFN, 5 Leads

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para NVMFS4C302NWFT1G

Hojas de datos : NVMFS4C302NWFT1G.pdf

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