RCX081N20 - MOSFET N-CH 200V 8A TO220

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 200V 8A TO220
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
508265 Pieces
Precio de referencia
USD 0.552
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Especificaciones para RCX081N20

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : RCX081N20
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descripción : MOSFET N-CH 200V 8A TO220
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 8A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 770 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.25V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 8.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 330pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220FM
Paquete / Caja : TO-220-3 Full Pack
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : RCX081N20.pdf

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