STH275N8F7-6AG - MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
158990 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para STH275N8F7-6AG
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
STH275N8F7-6AG
Fabricante :
STMicroelectronics
Descripción :
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
Serie :
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
180A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.1 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
193nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
13600pF @ 50V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
315W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
H2PAK-6
Paquete / Caja :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para STH275N8F7-6AG
Hojas de datos :
STH275N8F7-6AG.pdf
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