CDBGBSC101200-G - DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
66965 Pieces
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Especificaciones para CDBGBSC101200-G
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : CDBGBSC101200-G
Fabricante : Comchip Technology
Descripción : DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Configuración de diodo : 1 Pair Common Cathode
Tipo de diodo : Silicon Carbide Schottky
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 1200V
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) : 18A (DC)
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.7V @ 5A
Velocidad : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) : 0ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr : 100µA @ 1200V
Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 175°C
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete / Caja : TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-247
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para CDBGBSC101200-G
Hojas de datos : CDBGBSC101200-G.pdf
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