3LN01C-TB-E - MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
23360 Pieces
Precio de referencia
USD 0
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Especificaciones para 3LN01C-TB-E

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : 3LN01C-TB-E
Fabricante : ON Semiconductor
Descripción : MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
Serie : -
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 150mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.7 Ohm @ 80mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 1.58nC @ 10V
Vgs (Max) : ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 7pF @ 10V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 250mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 3-CP
Paquete / Caja : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : 3LN01C-TB-E.pdf

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