1N5407G R0G - DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-1N5407G R0G
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
4437760 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para 1N5407G R0G
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : 1N5407G R0G
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción : DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo de diodo : Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 800V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 3A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1V @ 3A
Velocidad : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) : -
Corriente - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 800V
Capacitancia a Vr, F : 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete / Caja : DO-201AD, Axial
Paquete del dispositivo del proveedor : DO-201AD
Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 150°C
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para 1N5407G R0G
Hojas de datos : 1N5407G R0G.pdf
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