STL3N10F7 - MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT22

Número de pieza del fabricante

STL3N10F7

Número interno de parte

AX-STL3N10F7

Fabricante

STMicroelectronics

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT22

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

483820 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para STL3N10F7

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : STL3N10F7

Fabricante : STMicroelectronics

Descripción : MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT22

Serie : DeepGATE™, STripFET™ VII

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 7.8nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 408pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2.4W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PowerFlat™ (2x2)

Paquete / Caja : 6-PowerWDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para STL3N10F7

Hojas de datos : STL3N10F7.pdf

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