FCD3400N80Z - MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-FCD3400N80Z
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
915130 Pieces
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Especificaciones para FCD3400N80Z
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : FCD3400N80Z
Fabricante : ON Semiconductor
Descripción : MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Serie : SuperFET® II
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 200µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 9.6nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 400pF @ 100V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 32W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : DPAK
Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para FCD3400N80Z
Hojas de datos : FCD3400N80Z.pdf
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