QJD1210011 - MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-QJD1210011
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
32662 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para QJD1210011
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : QJD1210011
Fabricante : Powerex Inc.
Descripción : MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Característica FET : Silicon Carbide (SiC)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 10mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 500nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 10200pF @ 800V
Potencia - max : 900W
Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Chassis Mount
Paquete / Caja : Module
Paquete del dispositivo del proveedor : Module
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para QJD1210011
Hojas de datos : QJD1210011.pdf
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