HS3M R7G - DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-HS3M R7G
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
2351200 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para HS3M R7G
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
HS3M R7G
Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción :
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Serie :
-
Estado de la pieza :
Not For New Designs
Tipo de diodo :
Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) :
1000V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) :
3A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si :
1.7V @ 3A
Velocidad :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) :
75ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr :
10µA @ 1000V
Capacitancia a Vr, F :
50pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
DO-214AB, SMC
Paquete del dispositivo del proveedor :
DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamiento - Unión :
-55°C ~ 150°C
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para HS3M R7G
Hojas de datos :
HS3M R7G.pdf
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