RW1A020ZPT2R - MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-RW1A020ZPT2R
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
2600700 Pieces
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Especificaciones para RW1A020ZPT2R
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : RW1A020ZPT2R
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descripción : MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6
Serie : -
Estado de la pieza : Not For New Designs
Tipo FET : P-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 105 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 6.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 770pF @ 6V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 6-WEMT
Paquete / Caja : SOT-563, SOT-666
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para RW1A020ZPT2R
Hojas de datos : RW1A020ZPT2R.pdf
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