1N5809US.TR - DIODE GEN PURP 100V 6A
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-1N5809US.TR
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 100V 6A
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
38310 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para 1N5809US.TR
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : 1N5809US.TR
Fabricante : Semtech Corporation
Descripción : DIODE GEN PURP 100V 6A
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo de diodo : Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 100V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 6A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 875mV @ 4A
Velocidad : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) : 30ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 100V
Capacitancia a Vr, F : 60pF @ 5V, 1MHz
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : SQ-MELF
Paquete del dispositivo del proveedor : -
Temperatura de funcionamiento - Unión : -
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para 1N5809US.TR
Hojas de datos : 1N5809US.TR.pdf
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