CSD17579Q3A - MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-CSD17579Q3A
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
2001735 Pieces
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Especificaciones para CSD17579Q3A
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : CSD17579Q3A
Fabricante : Texas Instruments
Descripción : MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Serie : NexFET™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 20A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.2 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.9V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 998pF @ 15V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 3.2W (Ta), 29W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-VSONP (3x3.15)
Paquete / Caja : 8-PowerVDFN
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para CSD17579Q3A
Hojas de datos : CSD17579Q3A.pdf
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