AONR21321 - MOSFET P-CH 30V 3X3 DFN EP

Número de pieza del fabricante

AONR21321

Número interno de parte

AX-AONR21321

Fabricante

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Breve descripción

MOSFET P-CH 30V 3X3 DFN EP

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

3129900 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para AONR21321

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : AONR21321

Fabricante : Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Descripción : MOSFET P-CH 30V 3X3 DFN EP

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 24A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16.5 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1180pF @ 15V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 4.1W (Ta), 24W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-DFN-EP (3x3)

Paquete / Caja : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : AON , AONR

Documentos para AONR21321

Hojas de datos : AONR21321.pdf

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