AONR21321 - MOSFET P-CH 30V 3X3 DFN EP
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-AONR21321
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 30V 3X3 DFN EP
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
3129900 Pieces
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Especificaciones para AONR21321
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
AONR21321
Fabricante :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descripción :
MOSFET P-CH 30V 3X3 DFN EP
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
24A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16.5 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
34nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
1180pF @ 15V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
4.1W (Ta), 24W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
8-DFN-EP (3x3)
Paquete / Caja :
8-PowerVDFN
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para AONR21321
Hojas de datos :
AONR21321.pdf
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