MVB50P03HDLT4G - INTEGRATED CIRCUIT

Número de pieza del fabricante

MVB50P03HDLT4G

Número interno de parte

AX-MVB50P03HDLT4G

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

INTEGRATED CIRCUIT

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

22981 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para MVB50P03HDLT4G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : MVB50P03HDLT4G

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : INTEGRATED CIRCUIT

Serie : Automotive, AEC-Q101

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 50A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 25A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 5V

Vgs (Max) : ±15V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 4.9nF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 125W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : D2PAK-3

Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : MVB5 , MVB50P0

Documentos para MVB50P03HDLT4G

Hojas de datos : MVB50P03HDLT4G.pdf

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