SQ4532AEY-T1_GE3 - MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC

Número de pieza del fabricante

SQ4532AEY-T1_GE3

Número interno de parte

AX-SQ4532AEY-T1_GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1230705 Pieces

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~~USD 0.22797~~

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Especificaciones para SQ4532AEY-T1_GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SQ4532AEY-T1_GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC

Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N and P-Channel

Característica FET : Standard

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 31 mOhm @ 4.9A, 10V, 70 mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 535pF @ 15V, 528pF @ 15V

Potencia - max : 3.3W

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SOIC

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para SQ4532AEY-T1_GE3

Hojas de datos : SQ4532AEY-T1_GE3.pdf

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