TH58NVG2S3HBAI4 - 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 EEPR

Número de pieza del fabricante

TH58NVG2S3HBAI4

Número interno de parte

AX-TH58NVG2S3HBAI4

Fabricante

Toshiba Memory America, Inc.

Breve descripción

4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 EEPR

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

81610 Pieces

Precio de referencia

~~USD 3.822~~

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Especificaciones para TH58NVG2S3HBAI4

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TH58NVG2S3HBAI4

Fabricante : Toshiba Memory America, Inc.

Descripción : 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 EEPR

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de memoria : Non-Volatile

Formato de memoria : FLASH

Tecnología : FLASH - NAND (SLC)

Tamaño de la memoria : 4Gb (512M x 8)

Frecuencia de reloj : -

Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : 25ns

Tiempo de acceso : -

interfaz de memoria : Parallel

Suministro de voltaje : 2.7V ~ 3.6V

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 85°C (TA)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 63-BGA

Paquete del dispositivo del proveedor : 63-BGA (9x11)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : TH58N , TH58NVG

Documentos para TH58NVG2S3HBAI4

Hojas de datos : TH58NVG2S3HBAI4.pdf

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WF095220WF50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 12KV SCREW.
WX095162WJ15236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1500PF 14KV SCREW.
WF135250WL50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 16KV SCREW.
TF170311WW40236BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 32KV R85.
MC04YC223KAA	AVX Corporation	CAP CER 0.022UF 16V X7R AXIAL.
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