EPC2023 - GANFET TRANS 30V 60A BUMPED DIE

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
GANFET TRANS 30V 60A BUMPED DIE
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
104020 Pieces
Precio de referencia
USD 2.697
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Especificaciones para EPC2023

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : EPC2023
Fabricante : EPC
Descripción : GANFET TRANS 30V 60A BUMPED DIE
Serie : eGaN®
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 60A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.3 mOhm @ 40A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 20mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2300pF @ 15V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : -
Temperatura de funcionamiento : -
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : Die
Paquete / Caja : Die
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : EPC2023.pdf

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