TPCC8001-H(TE12LQM - MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON

Número de pieza del fabricante

TPCC8001-H(TE12LQM

Número interno de parte

AX-TPCC8001-H(TE12LQM

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

9768 Pieces

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Especificaciones para TPCC8001-H(TE12LQM

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TPCC8001-H(TE12LQM

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON

Serie : U-MOSV-H

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 22A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.3 mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2500pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 700mW (Ta), 30W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-TSON Advance (3.3x3.3)

Paquete / Caja : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para TPCC8001-H(TE12LQM

Hojas de datos : TPCC8001-H(TE12LQM.pdf

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