IPB065N15N3GE8187ATMA1 - MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

Número de pieza del fabricante

IPB065N15N3GE8187ATMA1

Número interno de parte

AX-IPB065N15N3GE8187ATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

15672 Pieces

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Especificaciones para IPB065N15N3GE8187ATMA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IPB065N15N3GE8187ATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

Serie : OptiMOS™

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 150V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 130A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 270µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 93nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 7300pF @ 75V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 300W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TO263-7

Paquete / Caja : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IPB065N15N3GE8187ATMA1

Hojas de datos : IPB065N15N3GE8187ATMA1.pdf

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