NP83P04PDG-E1-AY - MOSFET P-CH 40V 83A TO-263

Número de pieza del fabricante

NP83P04PDG-E1-AY

Número interno de parte

AX-NP83P04PDG-E1-AY

Fabricante

Renesas Electronics America

Breve descripción

MOSFET P-CH 40V 83A TO-263

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

12904 Pieces

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Especificaciones para NP83P04PDG-E1-AY

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : NP83P04PDG-E1-AY

Fabricante : Renesas Electronics America

Descripción : MOSFET P-CH 40V 83A TO-263

Serie : -

Estado de la pieza : Discontinued at Digi-Key

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 40V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 83A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.3 mOhm @ 41.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 200nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 9820pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1.8W (Ta), 150W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-263

Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para NP83P04PDG-E1-AY

Hojas de datos : NP83P04PDG-E1-AY.pdf

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