RT1A060APTR - MOSFET P-CH 12V 6A TSST8

Número de pieza del fabricante

RT1A060APTR

Número interno de parte

AX-RT1A060APTR

Fabricante

Rohm Semiconductor

Breve descripción

MOSFET P-CH 12V 6A TSST8

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

3243890 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para RT1A060APTR

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : RT1A060APTR

Fabricante : Rohm Semiconductor

Descripción : MOSFET P-CH 12V 6A TSST8

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 12V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 6A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19 mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 4.5V

Vgs (Max) : -8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 7800pF @ 6V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 600mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-TSST

Paquete / Caja : 8-SMD, Flat Lead

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para RT1A060APTR

Hojas de datos : RT1A060APTR.pdf

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