TK12E60W,S1VX - MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
188930 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para TK12E60W,S1VX
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
TK12E60W,S1VX
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción :
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
Serie :
DTMOSIV
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
11.5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
300 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 600µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
890pF @ 300V
Característica FET :
Super Junction
Disipación de potencia (max) :
110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor :
TO-220
Paquete / Caja :
TO-220-3
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para TK12E60W,S1VX
Hojas de datos :
TK12E60W,S1VX.pdf
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