DMN10H099SFG-13 - MOSFET N-CH 100V 4.2A

Número de pieza del fabricante

DMN10H099SFG-13

Número interno de parte

AX-DMN10H099SFG-13

Fabricante

Diodes Incorporated

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 4.2A

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1578790 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para DMN10H099SFG-13

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : DMN10H099SFG-13

Fabricante : Diodes Incorporated

Descripción : MOSFET N-CH 100V 4.2A

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4.2A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 25.2nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1172pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 980mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PowerDI3333-8

Paquete / Caja : 8-PowerWDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para DMN10H099SFG-13

Hojas de datos : DMN10H099SFG-13.pdf

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