PMDPB30XN,115 - MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
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Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
2517665 Pieces
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Especificaciones para PMDPB30XN,115
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : PMDPB30XN,115
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descripción : MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Característica FET : Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 21.7nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 660pF @ 10V
Potencia - max : 490mW
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 6-UDFN Exposed Pad
Paquete del dispositivo del proveedor : 6-HUSON-EP (2x2)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para PMDPB30XN,115
Hojas de datos : PMDPB30XN,115.pdf
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