IPD30N03S4L09ATMA1 - MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Número de pieza del fabricante

IPD30N03S4L09ATMA1

Número interno de parte

AX-IPD30N03S4L09ATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1362965 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para IPD30N03S4L09ATMA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IPD30N03S4L09ATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Serie : OptiMOS™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 30A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 13µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Vgs (Max) : ±16V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1520pF @ 15V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 42W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TO252-3

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IPD30N , IPD30N03S

Documentos para IPD30N03S4L09ATMA1

Hojas de datos : IPD30N03S4L09ATMA1.pdf

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Número de pieza	Marca	Descripción
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CDR32BP102BJZRAC	Vishay Vitramon	CAP CER 1000PF 100V BP 1206.
12065C223KHT1A	AVX Corporation	CAP CER 0.022UF 50V X7R 1206.
WF135242BQ25238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 2500PF 25KV SCREW.
PZ0140WL10138CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 16KV DISK.
C0805C154KMREC	KEMET	CAP CER 0805 150NF 63V X7R 10.
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