2SK2845(TE16L1,Q) - MOSFET N-CH 900V 1A DP

Número de pieza del fabricante

2SK2845(TE16L1,Q)

Número interno de parte

AX-2SK2845(TE16L1,Q)

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

MOSFET N-CH 900V 1A DP

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

7984 Pieces

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Especificaciones para 2SK2845(TE16L1,Q)

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : 2SK2845(TE16L1,Q)

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : MOSFET N-CH 900V 1A DP

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 900V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 1A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 350pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 40W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : DP

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Hojas de datos : 2SK2845(TE16L1,Q).pdf

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