IS42S32160F-75EBL - IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
45024 Pieces
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Especificaciones para IS42S32160F-75EBL
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : IS42S32160F-75EBL
Fabricante : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descripción : IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : DRAM
Tecnología : SDRAM
Tamaño de la memoria : 512Mb (16M x 32)
Frecuencia de reloj : 133MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : -
Tiempo de acceso : 6ns
interfaz de memoria : Parallel
Suministro de voltaje : 3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento : 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 90-TFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor : 90-TFBGA (8x13)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para IS42S32160F-75EBL
Hojas de datos : IS42S32160F-75EBL.pdf
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