IPC60R190E6X1SA1 - MOSFET N-CH BARE DIE

Número de pieza del fabricante

IPC60R190E6X1SA1

Número interno de parte

AX-IPC60R190E6X1SA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH BARE DIE

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

246455 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para IPC60R190E6X1SA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IPC60R190E6X1SA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH BARE DIE

Serie : *

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : -

Tecnología : -

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : -

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : -

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : -

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : -

Temperatura de funcionamiento : -

Tipo de montaje : -

Paquete del dispositivo del proveedor : -

Paquete / Caja : -

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IPC60 , IPC60R19

Documentos para IPC60R190E6X1SA1

Hojas de datos : IPC60R190E6X1SA1.pdf

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