SI3460BDV-T1-E3 - MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
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Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1199450 Pieces
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Especificaciones para SI3460BDV-T1-E3
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : SI3460BDV-T1-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descripción : MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
Serie : TrenchFET®
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 8A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 8V
Vgs (Max) : ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 860pF @ 10V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 6-TSOP
Paquete / Caja : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para SI3460BDV-T1-E3
Hojas de datos : SI3460BDV-T1-E3.pdf
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