IRFH5302DTR2PBF - MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN

Número de pieza del fabricante

IRFH5302DTR2PBF

Número interno de parte

AX-IRFH5302DTR2PBF

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

9664 Pieces

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Especificaciones para IRFH5302DTR2PBF

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IRFH5302DTR2PBF

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN

Serie : HEXFET®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 29A (Ta), 100A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 100µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 3635pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 3.6W (Ta), 104W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PQFN (5x6) Single Die

Paquete / Caja : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IRFH5 , IRFH530

Documentos para IRFH5302DTR2PBF

Hojas de datos : IRFH5302DTR2PBF.pdf

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