AUIRL7766M2TR - MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET

Número de pieza del fabricante

AUIRL7766M2TR

Número interno de parte

AX-AUIRL7766M2TR

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

371200 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para AUIRL7766M2TR

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : AUIRL7766M2TR

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET

Serie : HEXFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 10A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 31A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 150µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 66nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±16V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 5305pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : DIRECTFET™ M4

Paquete / Caja : DirectFET™ Isometric M4

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para AUIRL7766M2TR

Hojas de datos : AUIRL7766M2TR.pdf

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