STD2HNK60Z-1 - MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-STD2HNK60Z-1
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
341315 Pieces
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Especificaciones para STD2HNK60Z-1
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : STD2HNK60Z-1
Fabricante : STMicroelectronics
Descripción : MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
Serie : SuperMESH™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 280pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : I-PAK
Paquete / Caja : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para STD2HNK60Z-1
Hojas de datos : STD2HNK60Z-1.pdf
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