DMN10H170SFDE-13 - MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
2522825 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para DMN10H170SFDE-13
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
DMN10H170SFDE-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descripción :
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
2.9A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
160 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
9.7nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
1167pF @ 25V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
660mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
U-DFN2020-6 (Type E)
Paquete / Caja :
6-UDFN Exposed Pad
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para DMN10H170SFDE-13
Hojas de datos :
DMN10H170SFDE-13.pdf
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