PMZB600UNELYL - MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
5816005 Pieces
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Especificaciones para PMZB600UNELYL
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
PMZB600UNELYL
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descripción :
MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B
Serie :
TrenchMOS™
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
600mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
950mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
0.7nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
21.3pF @ 10V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
360mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
DFN1006B-3
Paquete / Caja :
3-XFDFN
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para PMZB600UNELYL
Hojas de datos :
PMZB600UNELYL.pdf
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