SCTWA50N120 - MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247

Número de pieza del fabricante

SCTWA50N120

Número interno de parte

AX-SCTWA50N120

Fabricante

STMicroelectronics

Breve descripción

MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

22778 Pieces

Precio de referencia

~~USD 17.2386~~

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Especificaciones para SCTWA50N120

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SCTWA50N120

Fabricante : STMicroelectronics

Descripción : MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : SiCFET (Silicon Carbide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 65A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 69 mOhm @ 40A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 122nC @ 20V

Vgs (Max) : +25V, -10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1900pF @ 400V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 318W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 200°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : HiP247™

Paquete / Caja : TO-247-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SCT , SCTWA

Documentos para SCTWA50N120

Hojas de datos : SCTWA50N120.pdf

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