SQ1470EH-T1-GE3 - MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
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Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
13240 Pieces
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Especificaciones para SQ1470EH-T1-GE3
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : SQ1470EH-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descripción : MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
Serie : TrenchFET®
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2.8A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 6.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 610pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 3.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : SC-70-6 (SOT-363)
Paquete / Caja : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para SQ1470EH-T1-GE3
Hojas de datos : SQ1470EH-T1-GE3.pdf
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