EGL34BHE3_A/H - DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
3913680 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para EGL34BHE3_A/H
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
EGL34BHE3_A/H
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción :
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213
Serie :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Estado de la pieza :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) :
100V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) :
500mA
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si :
1.25V @ 500mA
Velocidad :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) :
50ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr :
5µA @ 100V
Capacitancia a Vr, F :
7pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
DO-213AA (Glass)
Paquete del dispositivo del proveedor :
DO-213AA (GL34)
Temperatura de funcionamiento - Unión :
-65°C ~ 175°C
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para EGL34BHE3_A/H
Hojas de datos :
EGL34BHE3_A/H.pdf
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