FDI038AN06A0 - MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB

Número de pieza del fabricante

FDI038AN06A0

Número interno de parte

AX-FDI038AN06A0

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

190145 Pieces

Precio de referencia

~~USD 1.475496~~

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Especificaciones para FDI038AN06A0

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FDI038AN06A0

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB

Serie : PowerTrench®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 17A (Ta), 80A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 124nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 6400pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 310W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : I2PAK (TO-262)

Paquete / Caja : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : FDI0 , FDI038

Documentos para FDI038AN06A0

Hojas de datos : FDI038AN06A0.pdf

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