W947D2HBJX5E - IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Número de pieza del fabricante

W947D2HBJX5E

Número interno de parte

AX-W947D2HBJX5E

Fabricante

Winbond Electronics

Breve descripción

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

214765 Pieces

Precio de referencia

~~USD 1.452474~~

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Especificaciones para W947D2HBJX5E

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : W947D2HBJX5E

Fabricante : Winbond Electronics

Descripción : IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de memoria : Volatile

Formato de memoria : DRAM

Tecnología : SDRAM - Mobile LPDDR

Tamaño de la memoria : 128Mb (4M x 32)

Frecuencia de reloj : 200MHz

Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : 15ns

Tiempo de acceso : 5ns

interfaz de memoria : Parallel

Suministro de voltaje : 1.7V ~ 1.95V

Temperatura de funcionamiento : -25°C ~ 85°C (TC)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 90-TFBGA

Paquete del dispositivo del proveedor : 90-VFBGA (8x13)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : W947 , W947D2

Documentos para W947D2HBJX5E

Hojas de datos : W947D2HBJX5E.pdf

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