AOB412L - MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263

Número de pieza del fabricante

AOB412L

Número interno de parte

AX-AOB412L

Fabricante

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

15368 Pieces

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Especificaciones para AOB412L

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : AOB412L

Fabricante : Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Descripción : MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263

Serie : SDMOS™

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 8.2A (Ta), 60A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15.5 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 54nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 3220pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2.6W (Ta), 150W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-263 (D²Pak)

Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para AOB412L

Hojas de datos : AOB412L.pdf

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