SIHP21N80AE-GE3 - MOSFET E SERIES 800V TO-220AB
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET E SERIES 800V TO-220AB
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
97210 Pieces
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Especificaciones para SIHP21N80AE-GE3
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : SIHP21N80AE-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descripción : MOSFET E SERIES 800V TO-220AB
Serie : E
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 17.4A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 235 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 72nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1388pF @ 100V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 32W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220AB
Paquete / Caja : TO-220-3
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para SIHP21N80AE-GE3
Hojas de datos : SIHP21N80AE-GE3.pdf
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