RQJ0303PGDQA#H6 - MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK

Número de pieza del fabricante

RQJ0303PGDQA#H6

Número interno de parte

AX-RQJ0303PGDQA#H6

Fabricante

Renesas Electronics America

Breve descripción

MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

19864 Pieces

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Especificaciones para RQJ0303PGDQA#H6

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : RQJ0303PGDQA#H6

Fabricante : Renesas Electronics America

Descripción : MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 3.3A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 68 mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V

Vgs (Max) : +10V, -20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 625pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 800mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 3-MPAK

Paquete / Caja : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para RQJ0303PGDQA#H6

Hojas de datos : RQJ0303PGDQA#H6.pdf

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