BSS806NEH6327XTSA1 - MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

Número de pieza del fabricante

BSS806NEH6327XTSA1

Número interno de parte

AX-BSS806NEH6327XTSA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

4536345 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para BSS806NEH6327XTSA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : BSS806NEH6327XTSA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

Serie : Automotive, AEC-Q101, HEXFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2.3A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.8V, 2.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 0.75V @ 11µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 1.7nC @ 2.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 529pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 500mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SOT-23-3

Paquete / Caja : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para BSS806NEH6327XTSA1

Hojas de datos : BSS806NEH6327XTSA1.pdf

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