IRF7807D2PBF - MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

Número de pieza del fabricante

IRF7807D2PBF

Número interno de parte

AX-IRF7807D2PBF

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

68830 Pieces

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Especificaciones para IRF7807D2PBF

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IRF7807D2PBF

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

Serie : FETKY™

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 8.3A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 5V

Vgs (Max) : ±12V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : -

Característica FET : Schottky Diode (Isolated)

Disipación de potencia (max) : 2.5W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SO

Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IRF7807D2PBF

Hojas de datos : IRF7807D2PBF.pdf

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