JAN1N5417US - DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-JAN1N5417US
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
42378 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para JAN1N5417US
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : JAN1N5417US
Fabricante : Microsemi Corporation
Descripción : DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
Serie : Military, MIL-PRF-19500/411
Estado de la pieza : Active
Tipo de diodo : Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 200V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 3A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.5V @ 9A
Velocidad : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) : 150ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr : 1µA @ 200V
Capacitancia a Vr, F : -
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : SQ-MELF, B
Paquete del dispositivo del proveedor : B, SQ-MELF
Temperatura de funcionamiento - Unión : -65°C ~ 175°C
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para JAN1N5417US
Hojas de datos : JAN1N5417US.pdf
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