SPD08P06PGBTMA1 - MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252

Número de pieza del fabricante

SPD08P06PGBTMA1

Número interno de parte

AX-SPD08P06PGBTMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1202505 Pieces

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Especificaciones para SPD08P06PGBTMA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SPD08P06PGBTMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252

Serie : SIPMOS®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 8.83A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 6.2V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 10A, 6.2V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 420pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 42W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TO252-3

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SPD08 , SPD08P0

Documentos para SPD08P06PGBTMA1

Hojas de datos : SPD08P06PGBTMA1.pdf

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