IPB025N08N3GATMA1 - MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3

Número de pieza del fabricante

IPB025N08N3GATMA1

Número interno de parte

AX-IPB025N08N3GATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

160500 Pieces

Precio de referencia

~~USD 1.748022~~

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Especificaciones para IPB025N08N3GATMA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IPB025N08N3GATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3

Serie : OptiMOS™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 80V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 120A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 270µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 206nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 14200pF @ 40V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 300W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : D²PAK (TO-263AB)

Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IPB02 , IPB025N0

Documentos para IPB025N08N3GATMA1

Hojas de datos : IPB025N08N3GATMA1.pdf

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PZ0140WL10136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 16KV DISK.
WF135250WL50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 16KV SCREW.
WZ135285WP50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV.
WI140266WQ75236BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.