MT47H512M4THN-25E:H - IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
59185 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para MT47H512M4THN-25E:H
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
MT47H512M4THN-25E:H
Fabricante :
Micron Technology Inc.
Descripción :
IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA
Serie :
-
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo de memoria :
Volatile
Formato de memoria :
DRAM
Tecnología :
SDRAM - DDR2
Tamaño de la memoria :
2Gb (512M x 4)
Frecuencia de reloj :
400MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página :
15ns
Tiempo de acceso :
400ps
interfaz de memoria :
Parallel
Suministro de voltaje :
1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento :
0°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
63-TFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor :
63-FBGA (8x10)
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para MT47H512M4THN-25E:H
Hojas de datos :
MT47H512M4THN-25E:H.pdf
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