IRFD123PBF - MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

Número de pieza del fabricante

IRFD123PBF

Número interno de parte

AX-IRFD123PBF

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

759095 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para IRFD123PBF

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IRFD123PBF

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 1.3A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 270 mOhm @ 780mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 360pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1.3W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Paquete / Caja : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IRFD123PBF

Hojas de datos : IRFD123PBF.pdf

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